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硅基超表面加工

硅基超表面透镜作为新一代光学元件，以其超薄、超轻、高集成度的独特优势，能够自由调控光的相位、振幅与偏振，正为成像、传感、AR/VR 等众多领域注入源源不断的革新动力，引领着光学技术迈向新的高度。在基硅超表面透镜的制造过程中，我们致力于为客户提供一站式解决方案，涵盖全流程的设备支持，无论是科研定制还是小...

2025年06月20日

半导体所在深紫外发光二极管的p-AlGaN欧姆接触制备方面取得进展

AlGaN基深紫外发光二极管（DUV-LED）具有节能、环保、长寿命、精准波长和利于集成等优势，在杀菌消毒、紫外光疗、水净化和光电探测等领域有广泛的应用前景。由于AlGaN禁带宽度较宽、p型掺杂能级较深、空穴浓度低，随Al组分的增加，p-AlGaN欧姆接触制备难度明显增大。而常规的p-GaN接触层对于紫外波段光吸收强烈，严重影...

2025年04月15日

半导体所研发出基于欧姆/肖特基混合接触的高性能肖特基势垒IGZO薄膜晶体管

肖特基势垒金属氧化物薄膜晶体管（SBMO-TFT）具有低功耗、可实现超窄沟道、并具备优异的器件稳定性等优点，因此在新型显示、存储和集成电路等领域具有广阔的应用前景。然而，目前SBMO-TFT存在制造成本较高、饱和输出电流较小等问题，尚不足以满足实际应用的需求。图1 SBMO-TFT的器件设计及不同类型器件的电学...

2024年10月25日

半导体所在低成本高光效深紫外发光结构制备方面取得进展

AlGaN基深紫外发光二极管(DUV LED)具有无汞污染、电压低、体积小、利于集成等诸多优势，在公共卫生、环境保护、生化检测、医疗、国防等领域具有广泛应用。但当前AlGaN基DUV LED的电光转换效率极低（通常<10%），严重制约AlGaN基DUV-LED的产业发展和市场应用。其中，高Al组分AlGaN缺陷、应变和量子限域调控困难是重要原因...

2024年03月22日

半导体所新型显示团队在量子点图案化技术方面取得进展

近年来，随着通信技术的迅速发展以及人们对显示色彩和实用性的追求，显示技术呈现多元化的发展。量子点作为一种在色纯度、亮度、色域、量子效率等方面具有巨大优势的光转换材料受到了广泛的关注，当使用基于量子点制备的光转换层与高效的蓝光主动式发光器件相结合来实现全彩化显示时，将十分有助于解决OLED和m...

2023年12月08日

半导体所智能光电团队在基于液体透镜结构的光学触觉传感器方面取得新进展

触觉传感器是智能设备在人-机-环境交互过程中获取触觉信息的主要途径，可令智能设备实现对外部接触环境温度、湿度、形状、压力和振动等信息的获取与认知，其是智能设备重要组成部件之一。其中，基于光传导的触觉传感器具有不受电磁干扰、结构简单、功耗低、动态范围广和分辨率高等优点，且工艺简单（由光源、光敏元件和...

2023年10月11日